具有分割式串连电极的硅微压电传感器芯片及其制备方法

专利权的终止

摘要

本发明涉及的具有分割式串连电极的硅微压电传感器芯片：n型硅基片中心有上小下大的方锥形孔；基片正、反面分别淀积基膜层和掩膜层，基膜层中心有圆孔，掩膜层中心有与硅基片反面方孔相同的方孔，基膜层上表面有振动膜；或者基片正、反面直接分别淀积振动膜基和掩膜层；振动膜上表面依次有分割下电极、压电膜、低温氧化硅膜保护层、分割式上电极、压电膜、护层层和分割式上电极；上、下电极通过其连接触角重合串联。该芯片具有声学上并联和电学上串联；可解决静态电容在高频下严重降低灵敏度的问题；可在不改变传声器主要结构前提下提高传声器的阻抗和灵敏度；在后续跟随器输入高阻抗高时，灵敏度提高N倍，N为分割式电极所含的电极块数量。

基本信息

专利标题：

具有分割式串连电极的硅微压电传感器芯片及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1964581A

申请号：

CN200510086861.7

公开（公告）日：

2007-05-16

申请日：

2005-11-11

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

汪承灏杨楚威黄歆李俊红乔东海解述

申请人：

中国科学院声学研究所

申请人地址：

100080北京市海淀区北四环西路21号

代理机构：

北京泛华伟业知识产权代理有限公司

代理人：

高存秀

优先权：

CN200510086861.7

主分类号：

H04R17/02

IPC分类号：

H04R17/02 H04R31/00 H01L41/08 H01L41/22