以真空溅镀在塑胶基材上被覆抗EMI薄膜的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种以真空溅镀在塑胶基材上被覆抗EMI薄膜的方法，其中，至少包括如下步骤：喷砂处理步骤，以刚玉砂喷在基材表面；清洗步骤，清洗已经喷砂处理的基材表面上的沙粒；真空溅镀步骤，在塑胶全部表面镀上一层Cu层之后，再镀上SUS层。本发明提供真空溅镀在塑胶基材上被覆抗EMI薄膜的方法一种降低整体产品薄膜层的电阻值，增强膜层的防EMI效果，防EMI遮蔽效果可达70dB以上，同时可节省溅镀时的治具费用。
基本信息
专利标题 ：
以真空溅镀在塑胶基材上被覆抗EMI薄膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1962929A
申请号 ：
CN200510100995.X
公开（公告）日 ：
2007-05-16
申请日 ：
2005-11-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴政道
申请人 ：
佛山市顺德区汉达精密电子科技有限公司
申请人地址 ：
528308广东省佛山市顺德区伦教集约工业区科技路1号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200510100995.X
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 C23C14/02 C23C14/12 C23C14/20
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2009-06-17 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-07-11 ：
实质审查的生效
2007-05-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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