本发明的目的在于向TFT阵列保持电容的保持特性测试中提供一种高速测定方法。本发明所述的测定方法是指：在具备多个像素电路的TFT阵列中，至少包含第一、第二、第三与第四像素电路，且所述多个像素电路具备保持电容、用于连接数据线于保持电容的开关用晶体管、以及用于控制该晶体管操作的闸极线，在测定充电后经过预定的保持时间后的第一像素电路保持电容的电荷后，对尚未充电的第三像素电路的保持电容充电，在测定充电后经过预定的保持时间后的第二像素电路保持电容的电荷后，对尚未充电的第四像素电路的保持电容充电，且在向第三像素电路的保持电容充电之后，经过预定的保持时间之后测定第三像素电路的保持电容的电荷，在向第四像素电路的保持电容充电之后，经过预定的保持时间后，测定第四像素电路的保持电容的电荷。