稠环芳香族有机半导体单晶微/纳米材料及其制备方法与应用
专利权的终止
摘要

本发明公开了稠环芳香族有机半导体单晶微/纳米材料及其制备方法与应用。本发明材料具有良好的单晶性,采用带有真空系统的两段控温管式电阻炉,通过控制管式炉的真空度、气流和炉子温度等条件,通过物理气相传输方式即可以进行生长,制备方法操作简单,具有一定的普适性,条件易于控制,对材料形貌的控制比较容易。该微/纳米材料用途广泛,以其为基础的场效应晶体管具有迁移率高和阈值电压低等优良性能,应用前景广阔。

基本信息
专利标题 :
稠环芳香族有机半导体单晶微/纳米材料及其制备方法与应用
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1952223A
申请号 :
CN200510109070.1
公开(公告)日 :
2007-04-25
申请日 :
2005-10-17
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
胡文平李洪祥汤庆鑫
申请人 :
中国科学院化学研究所
申请人地址 :
100080北京市海淀区中关村北一街2号
代理机构 :
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 :
关畅
优先权 :
CN200510109070.1
主分类号 :
C30B29/54
IPC分类号 :
C30B29/54  C30B29/62  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/54
有机化合物
法律状态
2014-12-10 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101591311445
IPC(主分类) : C30B 29/54
专利号 : ZL2005101090701
申请日 : 20051017
授权公告日 : 20090527
终止日期 : 20131017
2009-05-27 :
授权
2007-06-13 :
实质审查的生效
2007-04-25 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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