基于自组装技术的交叉阵列结构有机器件制备方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

一种交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法，其工艺步骤如下：1.在基片表面上淀积绝缘薄膜；2.在绝缘薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到下电极图形；3.蒸发、剥离金属得到交叉线下电极；4.旋涂抗蚀剂，光刻得到与下电极交叉的上电极图形；5.蒸发、剥离金属得到上电极；6.液相法自组织生长有机分子材料；7.干法刻蚀多余的有机分子材料，完成交叉线有机分子器件的制备。

基本信息

专利标题：

基于自组装技术的交叉阵列结构有机器件制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1949475A

申请号：

CN200510109338.1

公开（公告）日：

2007-04-18

申请日：

2005-10-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

王丛舜胡文平涂德钰姬濯宇刘明

申请人：

中国科学院微电子研究所

申请人地址：

100029北京市朝阳区北土城西路3号

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

段成云

优先权：

CN200510109338.1

主分类号：

H01L21/82

IPC分类号：

H01L21/82 H01L21/28 H01L51/40

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/77

在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理

H01L21/78

把衬底连续地分成多个独立的器件

H01L21/82

制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路

法律状态

2013-05-08 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101588805768
IPC(主分类) : H01L 21/82
专利号 : ZL2005101093381
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中国科学院微电子研究所
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中国科学院微电子研究所
登记生效日 : 20130419

2008-07-02 ：

授权

2007-06-13 ：

实质审查的生效

2007-04-18 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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