高压MOS管栅极氧化膜结构及其生长方法

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

本发明公开了一种高压MOS管栅极氧化膜结构及其生长方法，它可以在不改变高压MOS管形貌的前提下，提高MOS管的稳定性。它在不改变高压MOS管形貌的前提下，氧化膜由上、下两层不同的氧化膜构成，所述下层氧化膜为利用热氧化方式生长的氧化膜，所述上层氧化膜为利用化学气相淀积方式生长的氧化膜，另外所述利用热氧化方式生长的氧化膜厚度为100－400。它利用热氧化膜的致密性，避免了高压MOS管的特性发生漂移，从而确保了高压MOS管的特性保持稳定。

基本信息

专利标题：

高压MOS管栅极氧化膜结构及其生长方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1983629A

申请号：

CN200510111426.5

公开（公告）日：

2007-06-20

申请日：

2005-12-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

王飞郑萍余波

申请人：

上海华虹NEC电子有限公司

申请人地址：

201206上海市浦东新区川桥路1188号

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

丁纪铁

优先权：

CN200510111426.5

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/51 H01L21/283 H01L21/336 H01L21/316