提高印刷法制备碳纳米管薄膜场致电子发射性能的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供一种提高印刷法制备的碳纳米管(CNT)薄膜阴极的场致电子发射性能的处理方法，通过二次热处理工艺与表面提拉工艺，除去CNT薄膜中所含的杂质，在CNT与衬底间形成良好的机械接触和电接触，并使表面CNT垂直于衬底表面，从而使CNT薄膜的场致电子发射性能得到显著改善，即使电子发射的阈值场强降低了2倍多，发射电流密度提高25～30倍左右，电子发射的点密度提高3个数量级以上且均匀性明显提高。
基本信息
专利标题 ：
提高印刷法制备碳纳米管薄膜场致电子发射性能的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1808670A
申请号 ：
CN200510111620.3
公开（公告）日 ：
2006-07-26
申请日 ：
2005-12-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
冯涛王曦戴丽娟蒋军柳襄怀
申请人 ：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址 ：
200050上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
上海智信专利代理有限公司
代理人 ：
潘振甦
优先权 ：
CN200510111620.3
主分类号 ：
H01J9/02
IPC分类号 ：
H01J9/02 C01B31/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J9/00
专用于制造放电管、放电灯及其部件的设备和方法；从放电管或灯回收材料
H01J9/02
电极或电极系统的制造
法律状态
2009-11-04 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-09-20 ：
实质审查的生效
2006-07-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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