半导体量子阱负有效质量器件产生太赫兹辐射的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供了一种基于半导体量子阱负有效质量机制的太赫兹(THz，1THz＝1012Hz)辐射产生方法。给出了p型量子阱负有效质量p+pp+二极管的器件结构。在适当的掺杂和偏置条件下，由于高场畴的形成，二极管中将产生THz电流自振荡，自振荡电流的振荡频率在THz范围。设计了可调谐的半导体量子阱负有效质量THz振荡源，该振荡源具有体积小、重量轻、易集成等优点。
基本信息
专利标题 ：
半导体量子阱负有效质量器件产生太赫兹辐射的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822459A
申请号 ：
CN200510111962.5
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2005-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曹俊诚
申请人 ：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址 ：
200050上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
上海智信专利代理有限公司
代理人 ：
潘振甦
优先权 ：
CN200510111962.5
主分类号 ：
H01S5/343
IPC分类号 ：
H01S5/343 H01S5/00 H01L33/00
法律状态
2008-04-02 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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