二氟化氙气体腐蚀过程中锚的制作方法
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摘要
本发明涉及一种XeF2腐蚀过程中锚的制作方法，其特征在于将SiO2、SiNx、SiC、Au、Al及Cr等XeF2气体几乎不腐蚀的材料淀积在要保护的锚周围，形成所需要的锚；或者直接采用XeF2气体几乎不腐蚀的材料来制作锚。锚结构有五种：锚由硅材料和覆盖在其周围的保护层材料构成；锚由硅材料、覆盖在其周围的保护层材料及填充层材料构成；锚由保护层材料及填充层材料构成；锚是由保护层材料构成的柱体；锚是由保护层材料构成的薄膜。上述五种锚结构涉及六种制作工艺。本发明的优点在于：一方面可准确控制微结构锚位置，增加单个硅片单元器件的产量，降低生产成本，另一方面还可提高阵列器件(如红外焦平面阵列器件)的占空比，改进器件性能。
基本信息
专利标题 ：
二氟化氙气体腐蚀过程中锚的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1807221A
申请号 ：
CN200510112298.6
公开（公告）日 ：
2006-07-26
申请日 ：
2005-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
冯飞熊斌杨广立王跃林
申请人 ：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址 ：
200050上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
上海智信专利代理有限公司
代理人 ：
潘振甦
优先权 ：
CN200510112298.6
主分类号 ：
B81C1/00
IPC分类号 ：
B81C1/00 H01L21/02
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B81
微观结构技术
B81C
专门适用于制造或处理微观结构的装置或系统的方法或设备
B81C1/00
在基片内或其上制造或处理的装置或系统
法律状态
2008-12-03 ：
授权
2006-09-20 ：
实质审查的生效
2006-07-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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