诱导腐蚀基板及制作方法及侦测蚀刻液诱导腐蚀的方法
公开
摘要
本申请提供一种诱导腐蚀基板、诱导腐蚀基板的制作方法及侦测蚀刻液诱导腐蚀的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上镀设金属膜层；在所述金属膜层表面构造异物粒子；在所述金属膜层的表面形成蚀刻阻挡层，所述蚀刻阻挡层还覆盖所述异物粒子，得到诱导腐蚀基板。本申请提供的诱导腐蚀基板的制作方法、诱导腐蚀基板及侦测蚀刻液诱导腐蚀的方法，通过获取当前蚀刻参数，能够获得蚀刻液由于异物粒子的存在是否会引起蚀刻异常、以及能够获得由于异物粒子的形态不同是否会引起蚀刻异常，进而评估所述待侦测的蚀刻液诱导腐蚀的敏感度，从而将蚀刻异常拦截在蚀刻液的开发初期。
基本信息
专利标题 ：
诱导腐蚀基板及制作方法及侦测蚀刻液诱导腐蚀的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300371A
申请号 ：
CN202111588337.5
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谭芳
申请人 ：
TCL华星光电技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨瑞
优先权 ：
CN202111588337.5
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L21/3213 H01L21/321 H01L21/324 H01L27/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
