一种含铬类金刚石薄膜及其制备方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种含铬类金刚石薄膜及其制备方法，所述薄膜是在基体表面气相沉积的无氢含铬类金刚石薄膜，具有沿基体表面垂直方向自里向外依次为Cr层、CrNx层、CryCz层、Cr层、CrNx层、CryCz层……交替的致密多层梯度结构，膜厚不小于2μm，它具有高硬度、良好膜/基间结合力和良好的耐磨性能。其制备方法是利用磁控溅射系统进行镀膜，磁控靶为1对非平衡磁控Cr靶和1－4对非平衡磁控C靶，靶电源为20－250kHz的中频交流电源；利用单级脉冲直流电源控制在待镀膜基体上施加脉冲基体负偏压；溅射气体为氩气，该制备方法克服了直流反应磁控溅射法合成类金刚石薄膜存在的靶中毒缺陷。
基本信息
专利标题 ：
一种含铬类金刚石薄膜及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1743503A
申请号 ：
CN200510112723.1
公开（公告）日 ：
2006-03-08
申请日 ：
2005-10-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
于翔刘阳于德洋王成彪
申请人 ：
中国地质大学(北京);北京实力源科技开发有限责任公司
申请人地址 ：
100083北京市海淀区学院路29号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200510112723.1
主分类号 ：
C23C28/00
IPC分类号 ：
C23C28/00 C23C14/35 C23C14/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C28/00
用不包含在C23C2/00至C23C26/00各大组中单一组的方法，或用包含在C23C小类的方法与C25D小类中方法的组合以获得至少二层叠加层的镀覆
法律状态
2013-12-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101547152682
IPC(主分类) : C23C 28/00
专利号 : ZL2005101127231
申请日 : 20051012
授权公告日 : 20080514
终止日期 : 20121012
号牌文件序号 : 101547152682
IPC(主分类) : C23C 28/00
专利号 : ZL2005101127231
申请日 : 20051012
授权公告日 : 20080514
终止日期 : 20121012
2008-05-14 ：
授权
2006-05-03 ：
实质审查的生效
2006-03-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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