调整RAM模块中的工作参数的电路装置和方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
根据本发明的用于调整RAM模块中的所选出的工作参数的电路装置针对M个不同的工作参数的集合的每个单元分别包含单独分配的并通过单独的控制信号可设置的数值寄存器(VR0：7)，以存储针对相关的参数输入的数值信息。第一组外部接头(GZ)专用于输入表示要分别调整的参数的目标信息，而第二组外部接头(GV)专用于输入针对该参数的数值信息。此外，装设通过在该第一接头组(GZ)上输入的目标信息是可控制的选择设备(20)，以便将在该第二接头组(GV)上输入的数值信息只传输到那个被分配给所表示的参数的数值寄存器中。本发明的电路装置的有利应用是用于单独微调RAM模块的数据发送驱动器的工作参数。
基本信息
专利标题 ：
调整RAM模块中的工作参数的电路装置和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1783339A
申请号 ：
CN200510118042.6
公开（公告）日 ：
2006-06-07
申请日 ：
2005-10-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·舍弗
申请人 ：
因芬尼昂技术股份公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
吴立明
优先权 ：
CN200510118042.6
主分类号 ：
G11C11/409
IPC分类号 ：
G11C11/409 G11C11/4096 G11C7/10 H01L27/108
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的
G11C11/4063
辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的
G11C11/407
用于场效应型存储单元的
G11C11/409
读写电路
法律状态
2009-11-04 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-08-02 ：
实质审查的生效
2006-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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