一种基于SOI的光子晶体分束器及制法
专利权的终止
摘要
本发明涉及基于SOI材料的光子晶体分束器,包括一SOI材料衬底,在SOI衬底刻蚀产生硅柱,该硅柱呈正方晶格或六方晶格排列,硅柱高度为SOI顶层硅的厚度,在完整晶格结构中省去一行硅柱分别形成分束器的输入波导、两路输出波导;输入波导夹在两路输出波导的中间,它与两路输出波导分别由一列硅柱隔离,输入波导前端至少还留有一个硅柱,输出波导末端至少还留有一个硅柱;与外界相连的SOI条载波导分别设置在输入波导输入端、两路输出波导的输出端,该SOI条载波导与硅柱等高。该分束器结构紧凑,其长度比传统波导Y分束器缩小数十倍。通过控制隔离输入波导与输出波导的硅柱大小就能实现不同分束比的光输出,因此更具灵活性与实用性。
基本信息
专利标题 :
一种基于SOI的光子晶体分束器及制法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1967298A
申请号 :
CN200510123631.3
公开(公告)日 :
2007-05-23
申请日 :
2005-11-18
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
余和军余金中陈少武
申请人 :
中国科学院半导体研究所
申请人地址 :
100083北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 :
北京泛华伟业知识产权代理有限公司
代理人 :
高存秀
优先权 :
CN200510123631.3
主分类号 :
G02B6/12
IPC分类号 :
G02B6/12 G02B6/13
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导;包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/10
光波导式的
G02B6/12
集成光路类型
法律状态
2011-02-02 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101035900150
IPC(主分类) : G02B 6/12
专利号 : ZL2005101236313
申请日 : 20051118
授权公告日 : 20081105
终止日期 : 20091218
号牌文件序号 : 101035900150
IPC(主分类) : G02B 6/12
专利号 : ZL2005101236313
申请日 : 20051118
授权公告日 : 20081105
终止日期 : 20091218
2008-11-05 :
授权
2007-07-18 :
实质审查的生效
2007-05-23 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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