液晶显示器件及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种LCD器件及其制造方法。LCD器件包括具有像素区域的基板。栅极形成在像素区域中。栅绝缘膜形成在包括栅极的基板上。导电层形成在包括栅绝缘膜的基板上。包含纳米半导体材料的半导体层形成在栅极上面的导电层上。源极和漏极重叠在半导体层的相对两侧。钝化层形成在包括源极和漏极的基板上。钝化层中的第一接触孔暴露漏极。像素区域中的像素电极通过第一接触孔连接到漏极。
基本信息
专利标题 ：
液晶显示器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1892376A
申请号 ：
CN200510126149.5
公开（公告）日 ：
2007-01-10
申请日 ：
2005-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蔡基成
申请人 ：
LG.菲利浦LCD株式会社
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN200510126149.5
主分类号 ：
G02F1/136
IPC分类号 ：
G02F1/136 G02F1/133
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器
G02F1/00
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学
G02F1/01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
G02F1/13
基于液晶的，例如单位液晶显示单元
G02F1/133
构造上的设备；液晶单元的工作；电路装置
G02F1/136
结构上与一半导体层或基片相结合的液晶单元，例如形成集成电路部分的液晶单元
法律状态
2021-11-12 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G02F 1/136
申请日 : 20051130
授权公告日 : 20080917
终止日期 : 20201130
申请日 : 20051130
授权公告日 : 20080917
终止日期 : 20201130
2008-09-17 ：
授权
2007-03-07 ：
实质审查的生效
2007-01-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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