本发明公开了一种制备硅光电器件的方法、通过该方法制备的硅光电器件以及具有该硅光电器件的图像输入和/或输出装置。所述方法包括：制备n型或p型硅基衬底；在所述衬底表面上的一个或多个区域形成多晶硅；对形成所述多晶硅处的衬底表面进行氧化以在所述表面上形成氧化硅层，在所述衬底和所述氧化硅层之间的界面上形成微缺陷弯曲图案，其中，通过在由穿过所述多晶硅中的晶界的氧而加速的氧化工艺期间的氧化，形成所述微缺陷弯曲图案；通过蚀刻所述氧化硅层而显露所述微缺陷弯曲图案；以及通过将所述显露的微缺陷弯曲图案掺杂为与所述衬底相反的类型来形成掺杂区。