被吸附物的处理方法以及静电吸附方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种静电吸附技术，其能够将由绝缘体构成的工件及粘合半导体芯片等被加工物而成的工件吸附固定在载物台上。其中，准备将用于支承表面形成有电子器件的半导体基本(7)的玻璃衬底(8)粘合而成的层积体(15)，粘贴导电膜(9)。然后，将层积体(15)搭载于干蚀刻装置等的真空腔(12)内设置的吸附载物台(10)表面上。之后，对内部电极(11)施加电压，在导电膜(9)和吸附载物台(10)的表面产生正负电荷，通过其之间作用的静电力吸附固定层积体(15)。然后，对吸附固定于吸附载物台(10)上的层积体(15)进行蚀刻、CVD、PVD等加工处理。
基本信息
专利标题 ：
被吸附物的处理方法以及静电吸附方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790889A
申请号 ：
CN200510126896.9
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
龟山工次郎铃木彰冈山芳央梅本光雄
申请人 ：
三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李贵亮
优先权 ：
CN200510126896.9
主分类号 ：
H02N13/00
IPC分类号 ：
H02N13/00 H01L21/68
法律状态
2014-01-15 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101563321991
IPC(主分类) : H02N 13/00
专利号 : ZL2005101268969
申请日 : 20051125
授权公告日 : 20101208
终止日期 : 20121125
号牌文件序号 : 101563321991
IPC(主分类) : H02N 13/00
专利号 : ZL2005101268969
申请日 : 20051125
授权公告日 : 20101208
终止日期 : 20121125
2010-12-08 ：
授权
2007-10-10 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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