磁共振电阻抗断层成像方法

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

一种磁共振电阻抗断层成像的方法，其特征在于采用斜位电流注入的方式，通过向法线方向与主磁场方向不平行的成像目标断面注入电流，利用磁共振成像的方法获得注入电流激励磁场沿主磁场方向的分量，进一步计算得到该断面阻抗分布图像。本发明可以克服电阻抗断层图像重建问题中三个方向旋转成像目标的缺点，同时可以解决目前无需旋转成像物体的磁共振阻抗成像方法在主磁场方向与成像物体长轴方向垂直的磁共振成像系统下难以实现的问题。

基本信息

专利标题：

磁共振电阻抗断层成像方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1985759A

申请号：

CN200510130715.X

公开（公告）日：

2007-06-27

申请日：

2005-12-23

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

王慧贤宋涛王玉宇何永波

申请人：

中国科学院电工研究所

申请人地址：

100080北京市海淀区中关村北二条6号

代理机构：

北京科迪生专利代理有限责任公司

代理人：

关玲

优先权：

CN200510130715.X

主分类号：

A61B5/055

IPC分类号：

A61B5/055