湿法侧向导引微透镜成形方法，在基底材料表面蒸镀牺牲层，再在牺牲层表面涂敷光刻胶，然后确定微透镜在基片表面的位置，如果微透镜非紧密排布则采用光刻方法去除微透镜口径范围以外的光刻胶，如果微透镜紧密排布，则取微透镜最底部横向若干微米的范围作为开孔，并去除该开孔范围内的抗蚀剂；采用辅刻蚀液去除光刻胶去除后暴露出的牺牲层，将主刻蚀液和辅刻蚀液按比例混合，再将牺牲层和光刻胶部分去除后的结构放置在混合液中腐蚀，当牺牲层材料被辅刻蚀液侧向腐蚀完后，取出元件清洗，烘干即得到需要的元件。本发明既避免了干法刻蚀对元件的污染，又降低了成本，可用于各种金属及半导体材料材质的各种浮雕深度的高抗损伤连续表面微透镜阵列。