具有重叠阶梯状凹槽排列的化学机械抛光垫
专利权的终止
摘要
一种抛光垫(104，300)，具有环形抛光轨迹(152，320)和凹槽(112，304)的大量组(160，308)，这些凹槽绕着该抛光垫的旋转中心(128)以圆周方式重复。每个组中的大量凹槽都以偏移和重叠方式沿着轨线(164，312)排列，从而在该环形抛光轨迹中提供大量重叠阶梯(172，316)。这些组可以以彼此间隔或嵌套的关系排列。
基本信息
专利标题 ：
具有重叠阶梯状凹槽排列的化学机械抛光垫
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790624A
申请号 ：
CN200510131652.X
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-12-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
C·L·埃尔穆弗蒂G·P·马尔道尼
申请人 ：
罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请人地址 ：
美国特拉华州
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
陈文青
优先权 ：
CN200510131652.X
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304 B24D17/00 B24B39/06
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
2021-11-26 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/304
申请日 : 20051213
授权公告日 : 20080917
终止日期 : 20201213
申请日 : 20051213
授权公告日 : 20080917
终止日期 : 20201213
2008-09-17 ：
授权
2006-08-16 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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