高压传感器装置及其方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及高压传感器装置及其方法。在一个实施例中,形成覆盖掺杂的半导体区域的高压部件,该区域在高压部件工作期间可被耗尽。
基本信息
专利标题 :
高压传感器装置及其方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1819149A
申请号 :
CN200510134124.X
公开(公告)日 :
2006-08-16
申请日 :
2005-12-26
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
杰斐逊·W.·霍尔穆罕默德·T.·库杜斯
申请人 :
半导体元件工业有限责任公司
申请人地址 :
美国亚利桑那
代理机构 :
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 :
李春晖
优先权 :
CN200510134124.X
主分类号 :
H01L21/822
IPC分类号 :
H01L21/822 H01L27/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件,例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
法律状态
2021-12-03 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/822
申请日 : 20051226
授权公告日 : 20120201
终止日期 : 20201226
申请日 : 20051226
授权公告日 : 20120201
终止日期 : 20201226
2012-02-01 :
授权
2008-01-02 :
实质审查的生效
2006-08-16 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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