高压传感器装置及其方法

专利权的终止

摘要

本发明涉及高压传感器装置及其方法。一种检测高电压的方法，包括：提供半导体衬底；形成位于所述半导体衬底之上的检测元件，以及配置所述检测元件接收具有近似大于5伏的值的高电压并且作为响应形成检测信号，所述检测信号的值表示所述高电压的值并且以连续的方式在高电压的操作范围上变化，其中所述检测信号是具有表示高电压的值的电压或者具有表示高电压的值的电流中的一个。

基本信息

专利标题：

高压传感器装置及其方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101853798A

申请号：

CN201010171037.2

公开（公告）日：

2010-10-06

申请日：

2005-12-26

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

杰斐逊·W.·霍尔穆罕默德·T.·库杜斯

申请人：

半导体元件工业有限责任公司

申请人地址：

美国亚利桑那

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

康建忠

优先权：

CN201010171037.2

主分类号：

H01L21/66

IPC分类号：

H01L21/66 H01L21/77 H01L23/544 H01L27/04 G01R19/00

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/66

在制造或处理过程中的测试或测量

法律状态

2021-12-03 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20051226
授权公告日 : 20160120
终止日期 : 20201226

2016-01-20 ：

授权

2010-11-24 ：

实质审查的生效

号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101017285869
IPC(主分类) : H01L 21/66
专利申请号 : 2010101710372
申请日 : 20051226

2010-10-06 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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