超分子插层结构紫外光吸收剂及其制备方法和用途
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
本发明提供了一种超分子插层结构紫外光吸收剂及其制备方法和该紫外光吸收剂的用途。本发明利用水滑石具有可插层组装的特点，在水滑石层间插入5－苯并三唑－4－羟基－3－异丁基－苯磺酸(5－benzotriazolyl－4－hydroxy－3－sec－butylbenzenesulfonic acid，简称BZO)的阴离子(酸根)，制备层间客体为BZO阴离子(C16H16N3O4S)－的超分子插层结构材料。该超分子插层结构紫外光吸收剂的化学组成式为[M2+1－xM3+x(OH)2](C16H16N3O4S)－x·mH2O，对280－370nm波段紫外光的吸收率大于90％。该超分子插层结构紫外光吸收剂的热稳定性与插层客体BZO相比有显著的提高，其层间物种的明显分解温度在450℃左右。超分子插层结构紫外光吸收剂可用作如聚丙烯、聚碳酸
基本信息
专利标题 ：
超分子插层结构紫外光吸收剂及其制备方法和用途
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1803901A
申请号 ：
CN200510134719.5
公开（公告）日 ：
2006-07-19
申请日 ：
2005-12-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
段雪李殿卿脱振军
申请人 ：
北京化工大学
申请人地址 ：
100029北京市朝阳区北三环东路15号
代理机构 ：
北京思海天达知识产权代理有限公司
代理人 ：
何俊玲
优先权 ：
CN200510134719.5
主分类号 ：
C08K9/04
IPC分类号 ：
C08K9/04 C08L23/12 C08L69/00 C08L75/04 C08L55/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C08
有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
C08K
使用无机物或非高分子有机物作为配料
C08K9/00
使用预处理的配料
C08K9/04
用有机物质处理的配料
法律状态
2010-02-17 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2007-08-22 ：
授权
2006-09-13 ：
实质审查的生效
2006-07-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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