磨料颗粒、抛光浆料及其制造方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明揭示一种用于STI CMP(浅槽隔离化学机械抛光)制程的抛光浆料，其为制造256M(mega)D－RAM或更大的超高集成半导体(设计标准为小于或等于0.13μm)所必需，该抛光浆料可以较高移除速率对晶圆进行抛光，与氮化物相比而言，该抛光浆料具有优异的氧化物移除选择性。该抛光浆料可应用于制造超高集成半导体制程中所需的各种图案，因此可确保优异的移除速率、移除选择性和晶圆内不均匀性(within－wafer－nonuniformity，WIWNU)，其表明移除均匀性，并且可将微划痕的发生最小化。
基本信息
专利标题 ：
磨料颗粒、抛光浆料及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1818002A
申请号 ：
CN200510134775.9
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2005-12-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金大亨洪锡敏金容国金东炫徐明源朴在勤白云揆
申请人 ：
K.C.科技股份有限公司;汉阳大学校产学协力团
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200510134775.9
主分类号 ：
C09K3/14
IPC分类号 ：
C09K3/14 C09C1/68 C09C3/00 H01L21/304
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C09
染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
C09K
不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用
C09K3/00
不包含在其他类目中的材料
C09K3/14
防滑材料；研磨材料
法律状态
2018-06-01 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C09K 3/14
登记生效日 : 20180515
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : K.C.科技股份有限公司
变更后权利人 : 凯斯科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道安城市
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 汉阳大学校产学协力团
变更后权利人 : 汉阳大学校产学协力团
登记生效日 : 20180515
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : K.C.科技股份有限公司
变更后权利人 : 凯斯科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道安城市
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 汉阳大学校产学协力团
变更后权利人 : 汉阳大学校产学协力团
2013-04-10 ：
授权
2012-09-12 ：
发明专利更正
发明专利公报更正号牌文件类型代码 : 1608
号牌文件序号 : 101452334638
卷 : 26
号 : 32
页码 : 无
申请号 : 2005101347759
IPC(主分类) : C09K0003140000
修正类型代码 : 无
更正项目 : 专利申请公布后的驳回
误 : 驳回
正 : 撤销驳回
号牌文件序号 : 101452334638
卷 : 26
号 : 32
页码 : 无
申请号 : 2005101347759
IPC(主分类) : C09K0003140000
修正类型代码 : 无
更正项目 : 专利申请公布后的驳回
误 : 驳回
正 : 撤销驳回
2010-08-11 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101003963856
IPC(主分类) : C09K 3/14
专利申请号 : 2005101347759
公开日 : 20060816
号牌文件序号 : 101003963856
IPC(主分类) : C09K 3/14
专利申请号 : 2005101347759
公开日 : 20060816
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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