具有提供改善的自由层偏置的Ru/Si基种子层的磁传感器
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及一种部分研磨传感器设计的具有新颖的种子层的磁致电阻传感器，当该种子层沉积在晶体结构例如AFM层上时，其允许形成在其上的偏置层具有优异的硬磁属性。该种子层结构包括交替的Ru层和Si层以及形成在其上的CrMo层。该种子层阻断下面的晶体结构的外延生长，允许形成在该种子层上的硬磁材料具有不同于下面晶体层的晶粒结构的所需晶粒结构。该种子层还耐腐蚀，为传感器提供改善的检测电流传导。
基本信息
专利标题 ：
具有提供改善的自由层偏置的Ru/Si基种子层的磁传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1838245A
申请号 ：
CN200510136197.2
公开（公告）日 ：
2006-09-27
申请日 ：
2005-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
詹姆斯·M·弗赖塔格马斯塔法·M·皮纳巴西
申请人 ：
日立环球储存科技荷兰有限公司
申请人地址 ：
荷兰阿姆斯特丹
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李晓舒
优先权 ：
CN200510136197.2
主分类号 ：
G11B5/39
IPC分类号 ：
G11B5/39 G01R33/09 H01R43/08 H01F10/08
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11B
基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储
G11B5/00
借助于记录载体的激磁或退磁进行记录的；用磁性方法进行重现的；为此所用的记录载体
G11B5/127
磁头的结构或制造，例如电感应的
G11B5/33
磁通敏感磁头的结构或制造
G11B5/39
使用磁阻装置的
法律状态
2009-11-18 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-11-22 ：
实质审查的生效
2006-09-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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