用于多电压的分裂式薄膜电容器
专利权的终止
摘要

一种用于形成分裂式薄膜电容器的设备和方法,可以用在空间受限的应用中,以及在电耗装置和电源之间需要非常紧密的电连接的应用中,分裂式薄膜电容器用于向诸如集成电路之类的电器件提供多个功率和参考电源电压电平。空间受限的应用和紧密耦合应用的实例都可以是诸如微处理器之类的集成电路(IC)。向微处理器提供并调节功率的电容器需要紧密耦合,以便响应可能在高时钟率的微处理器中出现的瞬时功率需求,并且微处理器封装中的空间非常受限。微处理器可以对微处理器的快速核心逻辑部中的最小尺寸快速晶体管使用低压电源电平,并对微处理器的高速缓存部件和I/O晶体管部件使用高于正常的电压电源电压电平。因而可以需要用具有多功率和参考电压电平的紧凑电容器来提供高频IC所需的功率。

基本信息
专利标题 :
用于多电压的分裂式薄膜电容器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101031995A
申请号 :
CN200580033113.0
公开(公告)日 :
2007-09-05
申请日 :
2005-09-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
C·帕兰杜兹L·莫斯利
申请人 :
英特尔公司
申请人地址 :
美国加利福尼亚州
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
王庆海
优先权 :
CN200580033113.0
主分类号 :
H01L21/02
IPC分类号 :
H01L21/02  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2020-09-18 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20050929
授权公告日 : 20160817
终止日期 : 20190929
2016-08-17 :
授权
2007-10-31 :
实质审查的生效
2007-09-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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