铌粉、铌造粒物、铌烧结体和电容器及它们的制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供高效率地制造能提供每单位质量的电容大、漏电流小、而且偏差少的电容器的、电容器用铌粉、铌合金粉、氢化铌粉或氢化铌合金粉的方法，还提供使用了该铌粉、铌合金粉、氢化铌粉、或氢化铌合金粉的烧结体和使用该烧结体的电容器的制造方法。根据本发明，通过在分散介质存在下、使用密度为2～3.6g/cm3、断裂韧性值为1.5MPa·m1/2以上的珠，例如氮化硅或含氮化硅的化合物的介质对氢化铌或氢化铌合金进行粉碎，可以高效率地制得高电容的铌粉。
基本信息
专利标题 ：
铌粉、铌造粒物、铌烧结体和电容器及它们的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101035641A
申请号 ：
CN200580034208.4
公开（公告）日 ：
2007-09-12
申请日 ：
2005-10-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
网田仁大森和弘
申请人 ：
昭和电工株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
段承恩
优先权 ：
CN200580034208.4
主分类号 ：
B22F9/04
IPC分类号 ：
B22F9/04 H01G9/052 B22F1/00
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B22
铸造；粉末冶金
B22F
金属粉末的加工；由金属粉末制造制品；金属粉末的制造，金属粉末的专用装置或设备
B22F9/00
制造金属粉末或其悬浮物；所用的专用装置或设备
B22F9/02
用物理方法
B22F9/04
从固体材料开始，如用破碎，研磨或碾磨的方法
法律状态
2020-09-25 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : B22F 9/04
申请日 : 20051005
授权公告日 : 20120509
终止日期 : 20191005
申请日 : 20051005
授权公告日 : 20120509
终止日期 : 20191005
2012-05-09 ：
授权
2007-11-07 ：
实质审查的生效
2007-09-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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