包含光电活性半导体材料的光电池
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种包含光电活性半导体材料的光电池。所述光电池的特征在于光电活性半导体材料为具有式(I)的二元化合物或具有式(II)的三元化合物的p－掺杂或n－掺杂的半导体材料：ZnTe(I)，Zn1－xMnxTe(II)，其中x为0.01－0.99的数。在所述光电活性半导体材料中的一定比例碲离子由卤离子和氮离子替代且卤离子选自氟离子、氯离子和溴离子或其混合物。
基本信息
专利标题 ：
包含光电活性半导体材料的光电池
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101048877A
申请号 ：
CN200580036891.5
公开（公告）日 ：
2007-10-03
申请日 ：
2005-10-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
H－J·施特策尔
申请人 ：
巴斯福股份公司
申请人地址 ：
德国路德维希港
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
刘金辉
优先权 ：
CN200580036891.5
主分类号 ：
H01L31/032
IPC分类号 ：
H01L31/032 H01L31/0296 C30B29/48
法律状态
2015-12-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101637678843
IPC(主分类) : H01L 31/032
专利号 : ZL2005800368915
申请日 : 20051026
授权公告日 : 20100512
终止日期 : 20141026
号牌文件序号 : 101637678843
IPC(主分类) : H01L 31/032
专利号 : ZL2005800368915
申请日 : 20051026
授权公告日 : 20100512
终止日期 : 20141026
2010-05-12 ：
授权
2007-11-28 ：
实质审查的生效
2007-10-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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