光电催化半导体材料的活性调控方法
授权
摘要
本发明提供一种光电催化半导体材料的活性调控方法，采用卤离子对半导体材料制成的电极材料进行表面修饰。本发明的方法能够显著提高半导体材料的催化活性并降低催化成本。
基本信息
专利标题 ：
光电催化半导体材料的活性调控方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110449172A
申请号 ：
CN201910858755.8
公开（公告）日 ：
2019-11-15
申请日 ：
2019-09-11
授权号 ：
CN110449172B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
刘乐全张琪琪刘敏
申请人 ：
天津大学
申请人地址 ：
天津市南开区卫津路92号
代理机构 ：
天津滨海科纬知识产权代理有限公司
代理人 ：
李莎
优先权 ：
CN201910858755.8
主分类号 ：
B01J27/10
IPC分类号 ：
B01J27/10 B01J27/24 C25B11/06 C25B1/04
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B01
一般的物理或化学的方法或装置
B01J
化学或物理方法，例如，催化作用或胶体化学；其有关设备
B01J27/00
包含卤素、硫、硒、碲、磷或氮的元素或化合物的催化剂；包含碳化合物的催化剂
B01J27/06
卤素；其化合物
B01J27/08
卤化物
B01J27/10
氯化物
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2019-12-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B01J 27/10
申请日 : 20190911
申请日 : 20190911
2019-11-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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