发光元件和使用它的发光器件
授权
摘要
本发明提供随着发光时间的累积驱动电压增加较少的发光元件，和提供随着薄膜厚度的增加电阻值增加较少的发光元件。发光元件包括在第一电极和第二电极之间的第一层、第二层和第三层。设置第一层比第二层更靠近第一电极，设置第三层比第二层更靠近第二电极。第一层为包括芳香胺化合物和对芳香胺化合物表现出电子接受性质的物质的层。第二层包括电子传输性质强于空穴传输性质的物质和对上述物质表现出电子给予性质的物质。
基本信息
专利标题 ：
发光元件和使用它的发光器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101053091A
申请号 ：
CN200580037622.0
公开（公告）日 ：
2007-10-10
申请日 ：
2005-11-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
熊木大介濑尾哲史
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
段晓玲
优先权 ：
CN200580037622.0
主分类号 ：
H01L51/50
IPC分类号 ：
H01L51/50 G09F9/30 H01L27/32
法律状态
2009-12-23 ：
授权
2007-12-12 ：
实质审查的生效
2007-10-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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