表面区域进行改性的方法和电子器件
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
在本发明方法中，将第一层(具体地，非晶硅)沉积到具有沟槽的衬底表面上。将该表面的一部分用保护层进行覆盖。随后，在将第一层保持在沟槽中的同时，将其用干法刻蚀处理从衬底表面上无掩模地去除。
基本信息
专利标题 ：
表面区域进行改性的方法和电子器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101065830A
申请号 ：
CN200580040406.1
公开（公告）日 ：
2007-10-31
申请日 ：
2005-11-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
安东尼厄·L·A·M·克默恩弗雷迪·罗泽博姆约翰·H·克洛特威克罗伯图斯·A·M·沃尔特斯
申请人 ：
皇家飞利浦电子股份有限公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
陈瑞丰
优先权 ：
CN200580040406.1
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/8242
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2014-07-30 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101703292054
IPC(主分类) : H01L 21/02
专利申请号 : 2005800404061
申请公布日 : 20071031
号牌文件序号 : 101703292054
IPC(主分类) : H01L 21/02
专利申请号 : 2005800404061
申请公布日 : 20071031
2009-04-22 ：
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 皇家飞利浦电子股份有限公司
变更后权利人 : NXP股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
登记生效日 : 20090320
变更前权利人 : 皇家飞利浦电子股份有限公司
变更后权利人 : NXP股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
登记生效日 : 20090320
2008-01-16 ：
实质审查的生效
2007-10-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
