用于半导体材料作为磷光发射体的主体基质的9,9'－和2,...
授权
摘要
本发明涉及通式(I)的咔唑化合物和含此类咔唑化合物的半导体材料。此外还涉及此类咔唑化合物的制备方法，以及其作为半导体材料的用途，特别是作为磷光发射体的主体基质，(I)其中－R1和－R2在每次出现时是相同或不同的，是－OR41、－OR42、－SR41、－SR42、－NR41R45或－NR42R45，和－R3和－R4在每次出现时是相同或不同的，是R41或R42，R41是C1－C20环状或非环状的直链或支链烷基，任选地被－O－、－OC(＝O)－、－C(＝O)O－、－S－、仲氮、叔氮、季氮、－CR45＝CR46－、－C≡C－、－C(＝O)－、－C(＝O)NR45－、－NR45C(＝O)－、－S(＝O)－、－S(＝O)2－或－X6－中断一次或多次，和/或被R42
基本信息
专利标题 ：
用于半导体材料作为磷光发射体的主体基质的9,9'－和2,2'－取代的3,3'－联咔唑衍生物
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101072754A
申请号 ：
CN200580042306.2
公开（公告）日 ：
2007-11-14
申请日 ：
2005-12-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
K·布伦纳A·范迪肯J·W·霍福斯特拉特H·F·博尔纳B·M·W·兰格维尔德－沃斯N·M·T·基根J·J·A·M·巴斯蒂安森H·F·M·斯库
申请人 ：
皇家飞利浦电子股份有限公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
周铁
优先权 ：
CN200580042306.2
主分类号 ：
C07D209/88
IPC分类号 ：
C07D209/88
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C07
有机化学
C07D
杂环化合物
C07D209/00
杂环化合物，含五元环、与其他环稠合、带1个氮原子作为惟一的杂环原子
C07D209/56
含3个或更多个环的环系
C07D209/80
-或-稠合
C07D209/82
咔唑；氢化咔唑
C07D209/88
有杂原子或有以3个键连杂原子、其中最多以1个键连卤素的碳原子，例如，酯基或腈基，直接连在环系的碳原子上
法律状态
2012-09-05 ：
授权
2008-02-06 ：
实质审查的生效
2007-11-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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