一种评估半导体屏蔽材料发射性能的测试装置
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摘要
本实用新型涉及到一种评估半导体屏蔽材料发射性能的测试装置，包括真空控制系统、性能测试系统，其中，性能测试系统包括测试室、测试样品、载物台、阳极、电流表、保护电阻、高压直流电源，所述测试样品固定在载物台上作为阴极，阳极接高压直流电源的正极端，测试样品接高压直流电源的阴极端，高压直流电源的阴极端接地，保护电阻和电流表串联在电路中，所述阳极、阴极均位于测试室中，所述真空控制系统控制测试室为真空状态。本装置能够在高电场下直接测试半导电屏蔽材料的载流子发射情况，进而表征用作高压直流电缆的半导电屏蔽材料对于绝缘层电荷注入性能的优劣，对于研制高压直流输电电缆具有重要意义。
基本信息
专利标题 ：
一种评估半导体屏蔽材料发射性能的测试装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920491496.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-12
授权号 ：
CN210222187U
授权日 ：
2020-03-31
发明人 ：
郝春成邢照亮燕仕玉李源雷清泉魏艳慧李国倡张翀于凡胡祥楠
申请人 ：
青岛科技大学;全球能源互联网研究院有限公司
申请人地址 ：
山东省青岛市崂山区松岭路99号
代理机构 ：
山东康桥律师事务所
代理人 ：
柳彦君
优先权 ：
CN201920491496.5
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2020-03-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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