计算材料的中子屏蔽性能的方法、系统及介质
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摘要

本发明提供了一种计算材料的中子屏蔽性能的方法、系统及介质,包括:步骤1:对样品进行微观表征,统计样品的微观组织信息;步骤2:根据微观组织信息,计算屏蔽颗粒的个数和基底材料的吸收截面;步骤3:计算复合材料的有效吸收截面;步骤4:将复合材料的有效吸收截面作为基底材料的吸收截面,返回步骤2继续执行,直到计算完所有屏蔽颗粒,得到复合材料的总体中子衰减系数。本发明可以根据材料中所含有多种微观颗粒的尺寸分布,形状,体积分数等信息对材料的中子屏蔽性能的进行定量计算;解决了传统匀质的中子屏蔽性能计算方法中忽略了材料中多种颗粒和相的微观尺寸分布,形状等信息对中子屏蔽性能的影响的问题。

基本信息
专利标题 :
计算材料的中子屏蔽性能的方法、系统及介质
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111489796A
申请号 :
CN202010215097.3
公开(公告)日 :
2020-08-04
申请日 :
2020-03-24
授权号 :
CN111489796B
授权日 :
2022-06-10
发明人 :
钟圣怡翟昊宇陈哲王浩伟
申请人 :
上海交通大学
申请人地址 :
上海市闵行区东川路800号
代理机构 :
上海段和段律师事务所
代理人 :
李佳俊
优先权 :
CN202010215097.3
主分类号 :
G16C60/00
IPC分类号 :
G16C60/00  G16C20/30  G16C20/70  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G16
特别适用于特定应用领域的信息通信技术
G16C
计算化学;化学信息学; 计算材料科学
G16C60/00
计算机材料科学,即专门用于研究与其设计、合成、加工、表征或利用相关的材料或现象的物理或化学特性的ICT
法律状态
2022-06-10 :
授权
2020-08-28 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G16C 60/00
申请日 : 20200324
2020-08-04 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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