改进短波长LED以用于多色、宽波段或“白光”发射
专利权的终止
摘要
本发明提供了一种改进的LED，包括短波长LED和再发射半导体结构，其中该再发射半导体结构包括至少一个不位于pn结内的势阱。典型地该势阱是量子阱。该改进的LED可以是白光或接近白光LED。该再发射半导体结构还可包括围绕或靠近或直接相邻于该势阱的吸收层。此外，提供包括根据本发明的改进的LED的图形显示装置和照明装置。
基本信息
专利标题 ：
改进短波长LED以用于多色、宽波段或“白光”发射
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101076897A
申请号 ：
CN200580042502.X
公开（公告）日 ：
2007-11-21
申请日 ：
2005-10-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
托马斯·J·米勒迈克尔·A·哈斯特里·L·史密斯孙晓光
申请人 ：
3M创新有限公司
申请人地址 ：
美国明尼苏达州
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
穆德骏
优先权 ：
CN200580042502.X
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2018-10-09 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20051018
授权公告日 : 20090520
终止日期 : 20171018
申请日 : 20051018
授权公告日 : 20090520
终止日期 : 20171018
2009-05-20 ：
授权
2008-01-16 ：
实质审查的生效
2007-11-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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