用于硅电极组件表面污染去除的清洗方法
专利权的终止
摘要
硅电极组件的去污清洗方法和溶液，该方法可控制或者消除电极组件结合材料的可能的化学侵蚀，所述溶液包含氟化铵、过氧化氢、醋酸、可选的醋酸铵、和去离子水。
基本信息
专利标题 ：
用于硅电极组件表面污染去除的清洗方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101099229A
申请号 ：
CN200580046052.1
公开（公告）日 ：
2008-01-02
申请日 ：
2005-12-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
任大星石洪
申请人 ：
兰姆研究公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
李帆
优先权 ：
CN200580046052.1
主分类号 ：
H01L21/302
IPC分类号 ：
H01L21/302 C23G1/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
法律状态
2018-02-02 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/302
申请日 : 20051215
授权公告日 : 20100616
终止日期 : 20161215
申请日 : 20051215
授权公告日 : 20100616
终止日期 : 20161215
2010-06-16 ：
授权
2008-02-27 ：
实质审查的生效
2008-01-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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