戊硼烷（9）的储存和递送
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种流体储存和分配系统(100)，其包括在液氮浴(128)中的用于储存处于低于大气压的含戊硼烷(9)的流体的容器(126)。该戊硼烷可以由液体或合成源(124)供给，氮气从阀门(120)供给，该阀门可以由气体调节器(R-1&R-2)控制。该流体储存和分配系统可以借助于各个阀门(AV-1～AV-16&MV-1～MV-4)可联通地连接至半导体或液晶生产设施，由此，戊硼烷(9)被用作商用硼氢化物如乙硼烷的替代物。这种系统可以包括排气泵(130)、净化装置(140)和三通阀(162)，以取样检测此处输出的戊硼烷(9)的浓度。
基本信息
专利标题 ：
戊硼烷（9）的储存和递送
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101103135A
申请号 ：
CN200580046982.7
公开（公告）日 ：
2008-01-09
申请日 ：
2005-11-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
卡尔·W·奥兰德乔斯·I·阿尔诺
申请人 ：
高级技术材料公司
申请人地址 ：
美国康涅狄格州
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN200580046982.7
主分类号 ：
C23C14/48
IPC分类号 ：
C23C14/48 C23C14/14 C23C16/38 F17C7/04
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/48
离子注入
法律状态
2010-03-10 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-02-27 ：
实质审查的生效
2008-01-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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