芳香族聚酰胺多孔性薄膜及其制造方法、以及二次电池
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摘要
本发明的课题在于提供一种薄膜化优异、即使在高温下长期使用也能容易地表现稳定的多孔质特性的芳香族聚酰胺多孔性薄膜，本发明通过提供下述芳香族聚酰胺多孔性薄膜而解决了上述课题，即，一种芳香族聚酰胺多孔性薄膜，是以芳香族聚酰胺为主成分的多孔性薄膜，其特征在于，在至少一方的表面，使用原子力显微镜测定Sμm2的范围时、在距表层10nm深度处切割的截面积S(10)μm2和在距表层20nm深度处切割的截面积S(20)μm2同时满足下式。0.01≤S(10)/S≤0.3；5≤S(20)/S(10)≤20。
基本信息
专利标题 ：
芳香族聚酰胺多孔性薄膜及其制造方法、以及二次电池
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101124265A
申请号 ：
CN200580048435.2
公开（公告）日 ：
2008-02-13
申请日 ：
2005-11-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
末冈雅则西原健太佃明光
申请人 ：
东丽株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
段承恩
优先权 ：
CN200580048435.2
主分类号 ：
C08J9/28
IPC分类号 ：
C08J9/28 H01M2/16
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C08
有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
C08J
加工；配料的一般工艺过程；不包括在C08B，C08C，C08F，C08G或C08H小类中的后处理
C08J9/00
高分子物质加工成多孔或蜂窝状制品或材料：它们的后处理
C08J9/28
从高分子的组合物或物体中去掉液相，如凝结块的干燥
法律状态
2011-02-02 ：
授权
2008-04-09 ：
实质审查的生效
2008-02-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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