制备纳米多孔二氧化硅的装置及其方法
专利权的终止
摘要
本发明生产涉及无定形纳米多孔二氧化硅的装置和方法以及通过该方法制备的无定形纳米多孔二氧化硅，所述装置和方法能够通过使用高速反应喷嘴产生涡流以精确的当量比混合源材料，并能够使用进行高速搅拌和低速搅拌的连续循环聚合釜控制物理性质，所述无定形纳米多孔二氧化硅的比表面积为100m2/g至850m2/g、孔径为2nm至100nm、孔容积为0.2mL/g至2.5mL/g。
基本信息
专利标题 ：
制备纳米多孔二氧化硅的装置及其方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101312908A
申请号 ：
CN200580052103.1
公开（公告）日 ：
2008-11-26
申请日 ：
2005-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
梁庆周金镇洙金锺吉申桐喜
申请人 ：
E&B纳米技术株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王达佐
优先权 ：
CN200580052103.1
主分类号 ：
C01B33/18
IPC分类号 ：
C01B33/18
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/113
氧化硅；其水合物
C01B33/12
硅石；其水合物，如勒皮硅酸
C01B33/18
既非溶胶态又非凝胶态的细分散硅石的制备；其后处理
法律状态
2018-01-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : C01B 33/18
申请日 : 20051202
授权公告日 : 20110330
终止日期 : 20161202
申请日 : 20051202
授权公告日 : 20110330
终止日期 : 20161202
2011-03-30 ：
授权
2009-01-21 ：
实质审查的生效
2008-11-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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