二氧化硅纳米片及其制备方法与叠层结构
公开
摘要
本公开的实施例提供一种二氧化硅纳米片及其制备方法与叠层结构，该制备方法包括：形成层状双金属氢氧化物溶胶；在所述层状双金属氢氧化物溶胶中加入硅源材料，所述硅源材料至少以所述层状双金属氢氧化物溶胶中单分散的层状双金属氢氧化物为模板在所述单分散的层状双金属氢氧化物的主表面形成二氧化硅纳米片，将通过该制备方法形成的二氧化硅纳米片用于化学机械抛光中时，可以避免研磨粒子滚动摩擦的比例过大导致的平均摩擦系数过小、机械作用减弱，不利于提高材料去除速率的问题。
基本信息
专利标题 ：
二氧化硅纳米片及其制备方法与叠层结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114572989A
申请号 ：
CN202210483381.8
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-05-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王军政
申请人 ：
北洋研创（天津）科技有限公司
申请人地址 ：
天津市滨海新区经济技术开发区滨海-中关村科技园融创融晟广场4-2-407
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
朱晓琳
优先权 ：
CN202210483381.8
主分类号 ：
C01B33/12
IPC分类号 ：
C01B33/12 B32B9/00 B32B9/04 B32B3/24 B32B3/30 B82Y40/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/113
氧化硅；其水合物
C01B33/12
硅石；其水合物，如勒皮硅酸
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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