一种采用包埋渗硅工艺制备高硅电工钢的方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种采用包埋渗硅工艺制备高硅电工钢的方法，该方法将含硅量为0.3～1.0wt％的低硅钢片包埋在渗硅剂中，通过控制化学热处理的工艺参数，从而获得具有低损耗、低磁滞伸缩系数、低矫顽力的含硅量为6.5％左右的高硅电工钢。其工艺步骤有：首先将配制好的部分渗硅剂铺于坩埚底部，然后将经表面处理后的低硅钢片放入坩埚中，并在其四周填满余量的渗硅剂，充入氩气，调节升温速率17～20℃/min并加热至1000～1250℃后保温，然后再在升温速率6～8℃/min，炉内温度1150～1350℃保温1.5～4.5小时后进行热扩散处理。
基本信息
专利标题 ：
一种采用包埋渗硅工艺制备高硅电工钢的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1807687A
申请号 ：
CN200610001793.4
公开（公告）日 ：
2006-07-26
申请日 ：
2006-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
毕晓昉卢凤双
申请人 ：
北京航空航天大学
申请人地址 ：
100083北京市海淀区学院路37号
代理机构 ：
北京永创新实专利事务所
代理人 ：
赵文利
优先权 ：
CN200610001793.4
主分类号 ：
C23F17/00
IPC分类号 ：
C23F17/00 C23C8/62 C21D9/46 C21D11/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23F
非机械方法去除表面上的金属材料；金属材料的缓蚀；一般防积垢；至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法的多步法金属材料表面处理
C23F17/00
包括C23大类中所列入的至少一种工艺及C21D、C22F小类或C25大类中所列入的至少一种工艺之多步法金属材料表面处理工艺
法律状态
2012-03-28 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101212917824
IPC(主分类) : C23C 10/46
专利号 : ZL2006100017934
申请日 : 20060126
授权公告日 : 20090121
终止日期 : 20110126
号牌文件序号 : 101212917824
IPC(主分类) : C23C 10/46
专利号 : ZL2006100017934
申请日 : 20060126
授权公告日 : 20090121
终止日期 : 20110126
2009-01-21 ：
授权
2006-09-20 ：
实质审查的生效
2006-07-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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