一种原位合成制备高纯GdH<SUB>2</SUB>块体材料的方法

一种原位合成制备高纯GdH₂块体材...

专利权的终止

摘要

本发明属氢化物材料制备领域。一般稀土氢化物只能以粉末的形式存在，且难获得单一成分的氢化物。本发明包括以下步骤：利用氢电弧等离子装置，以纯钆作为阳极，金属钨作为阴极，氢气和氩气体积比为0.2－0.8，总压力100－650torr，选择电弧电流50－150A，电弧电压10－50V，起弧时间0.5－2小时将制备成钆的氢化物纳米颗粒；置入高纯氩气体保护的预处理室，装入石墨模具并预压成型，压力10－30MPa；将预压成型的生坯放电等离子烧结，烧结工艺参数为：烧结温度为750－900℃，压力为30－50MPa，烧结脉冲比为1∶12，升温速率为50－80℃/min；烧结完样品随炉冷却得到具有高纯度的GdH₂块体材料。本发明提供的稀土钆元素的氢化物块体材料具有良好的显微组织结构，且纯度较高。

基本信息

专利标题：

一种原位合成制备高纯GdH₂块体材料的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1803816A

申请号：

CN200610002053.2

公开（公告）日：

2006-07-19

申请日：

2006-01-24

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

张久兴曾宏岳明刘丹敏周身林左铁镛

申请人：

北京工业大学

申请人地址：

100022北京市朝阳区平乐园100号

代理机构：

北京思海天达知识产权代理有限公司

代理人：

张慧

优先权：

CN200610002053.2

主分类号：

C07F17/00

IPC分类号：

C07F17/00