电可擦可编程非易失性存储装置与阵列及其操作方法
专利权的视为放弃
摘要
本发明提供一种电可擦可编程非易失性存储装置与阵列及其操作方法。存储单元包括储存晶体管以及设置于N型传导阱区的注入器。阱区设置于P型传导半导体基底中。储存晶体管包括源极、漏极、通道以及电荷储存区。具有P型传导的源极与漏极设置于阱区中，上述源极与漏极之间定义为阱区的通道。电荷储存区设置于通道上，且透过绝缘体与通道隔离。本发明更提供一种操作存储单元的方法，包括电子注入装置，电子透过绝缘体从通道注入电荷储存区；以及空穴注入装置，空穴透过阱区、通道以及绝缘体从注入器注入电荷储存区。存储单元可透过传统逻辑CMOS制程来实现。
基本信息
专利标题 ：
电可擦可编程非易失性存储装置与阵列及其操作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101022133A
申请号 ：
CN200610003113.2
公开（公告）日 ：
2007-08-22
申请日 ：
2006-02-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王知行
申请人 ：
王知行
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200610003113.2
主分类号 ：
H01L29/788
IPC分类号 ：
H01L29/788 H01L27/115 H01L21/336 H01L21/8247 G11C16/04
法律状态
2010-01-20 ：
专利权的视为放弃
2007-10-17 ：
实质审查的生效
2007-08-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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