不需要poly2的用于掩埋条形窗形成的凹陷环状蚀刻
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种制作沟道式电容器的方法，通过减少沉积的多晶硅层的数目来实现所述方法，所述沟道式电容器在掩埋条形窗中具有减小的电阻，应用于例如动态随机存取存储器电路的存储电路中。所述方法包括：沉积环状材料，之后干法蚀刻环状材料。从顶部区域蚀刻掉环状材料，在填充沟槽底部的第一多晶硅层的表面和去除了环状材料的上部区域之间，在沟槽壁上留下一层环状材料。在蚀刻掉环状材料之后，沉积第二多晶硅层，以便与其它元件接触。
基本信息
专利标题 ：
不需要poly2的用于掩埋条形窗形成的凹陷环状蚀刻
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1909212A
申请号 ：
CN200610006942.6
公开（公告）日 ：
2007-02-07
申请日 ：
2006-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
德布拉·阿诺德乔纳森·菲利普·戴维斯罗伯特·富勒金民洙
申请人 ：
里士满英飞凌科技公司
申请人地址 ：
美国弗吉尼亚州
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
朱进桂
优先权 ：
CN200610006942.6
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2009-01-14 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-04-04 ：
实质审查的生效
2007-02-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
