快闪存储装置的制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种用于制造快闪存储装置的方法，其通过移除在晶片的边缘处的粒子，当预清洗隧道氧化膜时，防止粒子在该晶片的边缘周围散开。因此，其能够解决该隧道氧化膜质量降低和有缺陷的图案所引起的问题。
基本信息
专利标题 ：
快闪存储装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832135A
申请号 ：
CN200610008845.0
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-02-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
童且德权在淳
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610008845.0
主分类号 ：
H01L21/82
IPC分类号 ：
H01L21/82 H01L21/8247
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
法律状态
2011-04-27 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101066490418
IPC(主分类) : H01L 21/82
专利号 : ZL2006100088450
申请日 : 20060222
授权公告日 : 20080507
终止日期 : 20100222
号牌文件序号 : 101066490418
IPC(主分类) : H01L 21/82
专利号 : ZL2006100088450
申请日 : 20060222
授权公告日 : 20080507
终止日期 : 20100222
2008-05-07 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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