一种二阶非线性光学材料的制备方法及应用

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种二阶非线性光学晶体材料制备方法及应用，其步骤是首先碘仿、硫粉和二硫化碳，通过溶剂热反应式为：其次是反应在密闭的溶剂反应器内进行，溶剂二硫化碳加至反应器，反应温度控制在一定范围，经过一定时间可得二阶非线性光学晶体材料的二硫化碳溶液；第三是将得到的二价非线性材料光学晶体材料的二硫化碳溶液装在玻璃容器内，置于恒温箱中，经一定时间得橙黄色的块状单晶。该方法反应时间短、实验条件温和、产品纯度高、操作简单，该晶体材料广泛应用于光学领域。

基本信息

专利标题：

一种二阶非线性光学材料的制备方法及应用

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1834310A

申请号：

CN200610018456.6

公开（公告）日：

2006-09-20

申请日：

2006-03-02

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

苏旭田艳秦金贵赵国忠张刚刘涛陈创天吴以成

申请人：

武汉大学

申请人地址：

430072湖北省武汉市武昌珞珈山

代理机构：

武汉宇晨专利事务所

代理人：

王敏锋

优先权：

CN200610018456.6

主分类号：

C30B7/00

IPC分类号：

C30B7/00 C30B7/10 C30B7/06 C30B29/54