在感光材料表面覆盖并图形化碳基纳米结构的方法
专利权的终止
摘要

一种微细加工技术领域的在感光材料表面覆盖并图形化碳基纳米结构的方法,首先制备碳纳米管薄膜,然后制备感光材料图形,最后进行反应离子辅助等离子体增强气相沉积,即使用反应离子辅助等离子体刻蚀技术刻蚀碳纳米管薄膜,同时利用形成的复合等离子体在感光材料层表面形成新的碳基纳米结构,所使用的刻蚀气体,必须能够依靠物理轰击、化学反应或者两者的综合作用刻蚀碳纳米管,即能够将碳纳米管分解成为碳基纳米颗粒,从而形成复合等离子体。本发明形成的碳基纳米结构与基体可以有很好的结合力,很好的垂直取向性和密度、高度的一致性,同时,其密度、长度可以被控制,并适于加工实现阵列化设计和批量生产,因此有着广阔的应用前景。

基本信息
专利标题 :
在感光材料表面覆盖并图形化碳基纳米结构的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1794086A
申请号 :
CN200610023238.1
公开(公告)日 :
2006-06-28
申请日 :
2006-01-12
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
侯中宇蔡炳初徐东张亚非
申请人 :
上海交通大学
申请人地址 :
200240上海市闵行区东川路800号
代理机构 :
上海交达专利事务所
代理人 :
王锡麟
优先权 :
CN200610023238.1
主分类号 :
G03F7/00
IPC分类号 :
G03F7/00  C01B31/02  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
法律状态
2013-03-20 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101412118035
IPC(主分类) : G03F 7/00
专利号 : ZL2006100232381
申请日 : 20060112
授权公告日 : 20090923
终止日期 : 20120112
2009-09-23 :
授权
2006-08-23 :
实质审查的生效
2006-06-28 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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