碳纳米管微图形化方法
专利权的终止
摘要
一种碳纳米管微图形化方法，属于微纳电子技术、光电子技术和微细加工技术领域。本发明包括以下步骤：(1)碳纳米管膜的制备。(2)在碳纳米管膜上面形成反应离子刻蚀中的掩膜层，根据具体应用要求掩膜层的成分、厚度的选择及其加工工艺分为三种情况：①正胶掩膜层；②负胶掩膜层；③金属掩膜层。(3)反应离子刻蚀碳纳米管，形成碳纳米管图形。(4)去除掩膜层。本发明更好地适应各种不同成分和成膜方法形成的碳纳米管膜的图形化，同时充分利用微电子工艺的高精度图形化优势的碳纳米管图形化技术方案。
基本信息
专利标题 ：
碳纳米管微图形化方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1778664A
申请号 ：
CN200510030128.3
公开（公告）日 ：
2006-05-31
申请日 ：
2005-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
侯中宇张亚非蔡炳初徐东魏星
申请人 ：
上海交通大学
申请人地址 ：
200240上海市闵行区东川路800号
代理机构 ：
上海交达专利事务所
代理人 ：
王锡麟
优先权 ：
CN200510030128.3
主分类号 ：
B82B3/00
IPC分类号 ：
B82B3/00 C01B31/02
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B82
超微技术
B82B
通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子的集合而形成的纳米结构；其制造或处理
B82B3/00
通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子的集合的纳米结构的制造或处理
法律状态
2012-11-28 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101355721034
IPC(主分类) : B82B 3/00
专利号 : ZL2005100301283
申请日 : 20050929
授权公告日 : 20090422
终止日期 : 20110929
号牌文件序号 : 101355721034
IPC(主分类) : B82B 3/00
专利号 : ZL2005100301283
申请日 : 20050929
授权公告日 : 20090422
终止日期 : 20110929
2009-04-22 ：
授权
2006-07-26 ：
实质审查的生效
2006-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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