硼化物—碳化硅复相陶瓷及其制备方法

专利权的终止

摘要

本发明提供一种硼化物—碳化硅复相陶瓷及其制备方法，其特征在于利用聚碳硅烷裂解时生成的碳化硅的活性，在1700～1900℃温和温度下热压制备致密的硼化物—碳化硅复合陶瓷；所述硼化物主要包括硼化锆，硼化钛和硼化铪；这种工艺不需添加其他助烧剂，保证了材料的高温性能；在制备过程中加入1－12wt％的硅，锆，钛，铪等金属粉末，或者这些金属粉末的任意组合，以吸收聚碳硅烷裂解过程中的残留碳，则可以提高复合材料的致密度，改善材料的力学性能；获得的材料的显微结构特征是，聚碳硅烷裂解生成的活性碳化硅包裹在硼化物如硼化锆颗粒的表面，并在温和温度下结合硼化物颗粒。

基本信息

专利标题：

硼化物—碳化硅复相陶瓷及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1807347A

申请号：

CN200610023691.2

公开（公告）日：

2006-07-26

申请日：

2006-01-26

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

张国军阚艳梅王佩玲

申请人：

中国科学院上海硅酸盐研究所

申请人地址：

200050上海市定西路1295号

代理机构：

上海智信专利代理有限公司

代理人：

潘振甦

优先权：

CN200610023691.2

主分类号：

C04B35/58

IPC分类号：

C04B35/58 C04B35/565 C04B35/622 C04B35/645 C04B35/65