一种纳米粉体改性碳化硅-碳化硼复相陶瓷及其制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种纳米粉体改性碳化硅‑碳化硼复相陶瓷，按照质量百分比计，包括：碳化硅粉体与碳化硼粉体90wt％～98wt％，碳粉1wt％～5wt％，氧化锆粉体1wt％～5wt％，纳米石墨烯粉体1wt％～5wt％；其中，碳化硅粉体与碳化硼粉体的质量比为1:4～4:1；碳化硅粉体包括纳米碳化硅粉体与微米碳化硅粉体，纳米碳化硅粉体质量为5wt％～20wt％，碳化硼粉体包括纳米碳化硼粉体与微米碳化硼粉体，纳米碳化硼粉体粉体质量为5wt％～20wt％。本发明还提供了上述复相陶瓷的制备方法，包括步骤：(1)一次纳米粉体混合；(2)二次粉体混合；(3)喷雾造粒；(4)压力成型；(5)预烧结；(6)终烧结。本发明能够制备得到硬度、强度均得到提高的SiC‑B4C复相陶瓷，提高复相陶瓷性能的均匀性，且烧结温度低，制备效率提高。
基本信息
专利标题 ：
一种纳米粉体改性碳化硅-碳化硼复相陶瓷及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114591086A
申请号 ：
CN202210336523.8
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙孟勇杨双燕张武高晓菊李国斌尹飞曲俊峰童鹤郭敏栾承华
申请人 ：
中国兵器工业第五二研究所烟台分所有限责任公司
申请人地址 ：
山东省烟台市莱山区迎宾路2号附1号
代理机构 ：
烟台上禾知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
申玉娟
优先权 ：
CN202210336523.8
主分类号 ：
C04B35/565
IPC分类号 ：
C04B35/565 C04B35/563 C04B35/622
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/515
以非氧化物为基料的
C04B35/56
以碳化物为基料的
C04B35/565
以碳化硅为基料的
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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