MOS晶体管特性曲线仿真方法

专利权的终止

摘要

本发明的仿真方法在仿真系统中添加补偿电阻网络，拟合仿真曲线与实测曲线。补偿电阻的值与实测系统中外部寄生电阻值相当，使得外部寄生电阻的分压作用被加入仿真模型中，仿真过程中施加在栅极上的电压更接近实测时施加在MOS晶体管栅极上的电压，因此得到的栅极电压－漏极电流仿真曲线更接近于实测曲线。

基本信息

专利标题：

MOS晶体管特性曲线仿真方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101029916A

申请号：

CN200610024311.7

公开（公告）日：

2007-09-05

申请日：

2006-03-02

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

苏鼎杰刘丕均何佳朱辉

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

逯长明

优先权：

CN200610024311.7

主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

G01R31/26 G01R31/00 G06G7/62 G01R31/319 G06F11/26 G06F9/455

IPC结构图谱

G部——物理

G01

测量；测试

G01R

测量电变量；测量磁变量

G01R31/26

•单个半导体器件的测试

法律状态

2020-03-10 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20060302
授权公告日 : 20090909
终止日期 : 20190302

2011-12-14 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101238705072
IPC(主分类) : G01R 31/26
专利号 : ZL2006100243117
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111108

2009-09-09 ：

授权

2007-10-31 ：

实质审查的生效

2007-09-05 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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